[发明专利]绝缘栅极型半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010079019.5 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111668301A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 石川隆正;八尾典明;野口晴司 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种能够抑制工时的增加、且能够与栅极沟槽相独立地筛查虚设沟槽的栅极绝缘膜不良的绝缘栅极型半导体装置及其制造方法。绝缘栅极型半导体装置的制造方法包括以下工序：挖出虚设沟槽(41～45)，并且挖出具有呈U字状地包围虚设沟槽(41～45)的平面图案的栅极沟槽(40)；隔着栅极绝缘膜在虚设沟槽(41～45)和栅极沟槽(40)形成虚设电极和栅极电极；形成经由U字状的开口部来与虚设电极连接的试验用凸部以及试验用布线；以及对试验用布线与电荷输送区的下表面之间施加电压来检查虚设沟槽(41～45)内的栅极绝缘膜的绝缘特性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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