[发明专利]绝缘栅极型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的电荷输送区；

所述电荷输送区上的第二导电型的注入控制区；

第一导电型的主电荷供给区，其选择性地设置在所述注入控制区上；

虚设电极，其隔着栅极绝缘膜被埋入于贯通所述主电荷供给区和所述注入控制区并到达所述电荷输送区的虚设沟槽；

栅极电极，其隔着所述栅极绝缘膜被埋入于栅极沟槽，该栅极沟槽以具有呈U字状地包围所述虚设沟槽的平面图案的方式与所述虚设沟槽相邻，且栅极沟槽的深度与所述虚设沟槽的深度相同；

栅极表面布线，其在所述U字状的底部与所述栅极电极连接；

连接区，其由导电体层形成，选择性地配置于所述U字状的开口部侧，与所述虚设电极连接。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，

所述虚设沟槽的条部与所述栅极沟槽的条部彼此平行地延伸，且在与所述延伸的方向正交的方向上被周期性地设置。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，

互为反向的、所述栅极沟槽的呈所述U字状地包围所述虚设沟槽的平面图案交替地连接，构成在所述虚设沟槽之间蛇行的弯折线。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，

所述虚设沟槽具有O字状或I字状的平面图案。

5.根据权利要求2所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，

所述虚设沟槽和所述栅极沟槽的在所述正交的方向上的周期性排列隔着与所述正交的方向平行的条状的所述栅极表面布线设置2列，

所述2列的各列的所述栅极沟槽的端部彼此在所述延伸的方向上连接。

6.一种绝缘栅极型半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在第一导电型的电荷输送区上形成第二导电型的注入控制区；

在所述注入控制区上形成第一导电型的主电荷供给区；

以贯通所述主电荷供给区和所述注入控制区并到达所述电荷输送区的方式挖出虚设沟槽，并且挖出以具有呈U字状地包围所述虚设沟槽的平面图案的方式与所述虚设沟槽相邻的栅极沟槽；

隔着栅极绝缘膜在所述虚设沟槽中埋入导电膜来作为虚设电极，隔着所述栅极绝缘膜在所述栅极沟槽中埋入导电膜来作为栅极电极；

形成经由所述U字状的开口部来与所述虚设电极连接的试验用凸部以及与所述试验用凸部连接的试验用布线；以及

通过对所述试验用布线与所述电荷输送区的下表面之间施加电压来检查所述虚设沟槽内的所述栅极绝缘膜的绝缘特性。

7.根据权利要求6所述的绝缘栅极型半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述检查的工序之后，还包括以下工序：形成覆盖所述试验用布线、且与所述栅极电极连接的栅极表面布线，将所述试验用布线与所述试验用凸部分离。

8.根据权利要求6或7所述的绝缘栅极型半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述虚设沟槽的条部与所述栅极沟槽的条部彼此平行地延伸，且在与所述延伸的方向正交的方向上被周期性地设置。

9.根据权利要求6～8中的任一项所述的绝缘栅极型半导体装置的制造方法，其特征在于，

互为反向的、所述栅极沟槽的呈所述U字状地包围所述虚设沟槽的平面图案交替地连接，构成在所述虚设沟槽之间蛇行的弯折线。

10.根据权利要求6～9中的任一项所述的绝缘栅极型半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述虚设沟槽具有O字状或I字状的平面图案。

11.根据权利要求8所述的绝缘栅极型半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述虚设沟槽和所述栅极沟槽的在所述正交的方向上的周期性排列隔着所述栅极表面布线设置2列，

所述2列的各列的所述栅极沟槽的端部彼此在所述延伸的方向上连接。