[发明专利]具有环绕式栅极以及环绕式源极和漏极触点的平面晶体管在审
| 申请号： | 202010078838.8 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111640741A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | N.尼迪;R.拉马斯瓦米;邓汉威;M.拉多萨夫尔杰维奇;S.达斯古普塔;J.C.罗德;P.B.费希尔;W.M.哈菲斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/778;H01L29/423;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的主题是“具有环绕式栅极以及环绕式源极和漏极触点的平面晶体管”。本文中所公开的是IC结构、封装和装置，所述IC结构、封装和装置包含具有环绕式栅极和/或一个或多个环绕式源极/漏极（S/D）触点的平面III‑N晶体管。一种示例IC结构包含支承结构（例如衬底）和平面III‑N晶体管。晶体管包含：在支承结构之上提供的III‑N半导体材料和极化材料的沟道堆叠；在沟道堆叠中提供的一对S/D区；以及在S/D区域之间的沟道堆叠的一部分之上提供的栅极介电材料和栅极电极材料的栅极堆叠，其中栅极堆叠至少部分地环绕沟道堆叠的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 环绕 栅极 以及 式源极 触点 平面 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
