[发明专利]3300V的4H-SiC MOSFET设计方法在审
| 申请号： | 202010073187.3 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111261697A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴江枫;李思思;王翠霞;余有灵;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 同济大学;株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种3300V的4H‑SiC MOSFET设计方法，采用UMOSFET结构；结构参数优化为：外延层漂移区浓度8e |
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| 搜索关键词： | 3300 sic mosfet 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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