[发明专利]半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法：包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成图形化掩膜层；将所得结构至于反应腔室内，将N型掺杂气体同含氯反应气体与金属镓反应后的反应产物经由同一通气管路通入反应腔室内，以于图形化掩膜层上形成N型掺杂氮化镓层。本发明可以阻止N型掺杂气体分解生成的硅附着在气体通路上，进而使硅元素能够进入衬底附近参与氮化镓气相外延反应进而掺杂进入外延的氮化镓上，达到掺杂的效果，同时也解决了硅沉积在气体通路内壁上，形成黑色沉积物，污染下一次外延生长的问题，也解决了因N型掺杂物质沉积造成气体管路堵塞导致气体管路受热不均而破裂等问题。