[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202010027903.4 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111446230B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 北林拓也;吉田博;石桥秀俊;村田大辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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