[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010013525.4 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111180398B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;王元刚;周幸叶;刘宏宇;宋旭波;梁士雄;马春雷;付兴昌;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/56;H01L21/34 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。其中，所述氧化镓场效应晶体管包括衬底，设于所述衬底上的氧化镓沟道层，设于所述氧化镓沟道层上的源电极和漏电极，设于所述源电极和所述漏电极之间的栅介质层，设于所述栅介质层上的栅电极，以及，覆盖所述源电极和所述漏电极之间表面区域的钝化介质层，所述钝化介质层中设有氟注入区域，所述氟注入区域位于所述栅电极偏向所述漏电极一侧的区域。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以有效抑制栅电极偏漏电极一侧区域内可能出现的尖峰电场，使电场的分布更加均匀，氧化镓场效应晶体管的击穿电压大幅提升，有利于扩展氧化镓场效应晶体管器件在高压场景中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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