[发明专利]蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010013430.2 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111410964A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金贞儿;金荣灿;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训;金益熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;C09K13/06;C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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