[发明专利]蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法

说明书

本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。

相关申请的交叉引用

2019年1月8日提交韩国知识产权局的、发明名称为“用于氮化硅的蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法”的韩国专利申请10-2019-0002397通过引用以其全文形式并入本文。

技术领域

实施方案涉及蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件的高度集成，由于单独器件所堆叠的层的数量增加而可能难以应用批量型(batch-type)工艺。此外，单件型(single-type)工艺由于低生产量而可能有经济效率的担心，可以考虑提高单件型工艺的生产率的方法。

发明内容

实施方案的实现方式可以包括提供蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。

实施方案的实现方式可以包括提供制作半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成结构，所述结构具有氧化硅层的暴露表面和氮化硅层的暴露表面；和通过使用蚀刻剂组合物选择性地蚀刻暴露的氮化硅层，其中所述蚀刻剂组合物包含：无机酸，约0.01重量份至约0.5重量份的平均粒度为约1nm至约40nm的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的无机酸。

实施方案的实现方式可以包括提供制作半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成其中多个氧化硅层和多个氮化硅层逐个交替堆叠的结构；通过部分移除所述多个氧化硅层和所述多个氮化硅层中的每个形成切口区域，所述切口区域具有暴露所述多个氧化硅层和所述多个氮化硅层的侧壁；和通过使蚀刻剂组合物与所述结构接触而经由所述切口区域选择性地移除所述多个氧化硅层和所述多个氮化硅层中的所述多个氮化硅层，其中所述蚀刻剂组合物包含：无机酸，约0.01重量份至约0.5重量份的平均粒度为约1nm至约40nm的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的无机酸。

实施方案的实现方式可以包括提供制作半导体器件的方法，所述方法包括：在沉积室中，在衬底上形成其中多个氧化硅层和多个氮化硅层逐个交替堆叠的结构；在干法蚀刻室中，通过部分移除所述多个氧化硅层和所述多个氮化硅层中的每个形成切口区域，使得所述切口区域具有暴露所述多个氧化硅层和所述多个氮化硅层的侧壁；和在湿法蚀刻室中，通过使蚀刻剂组合物与所述结构接触而经由所述切口区域选择性地移除所述多个氧化硅层和所述多个氮化硅层中的所述多个氮化硅层，其中所述蚀刻剂组合物包含磷酸溶液，所述磷酸溶液包含胶状二氧化硅和铵系添加剂，并且选择性地移除所述多个氮化硅层在约200℃至约300℃的温度进行。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方案，本申请的特征对本领域技术人员将是明显的，在附图中：

图1示出了根据实施方案的一种制作半导体器件的方法的流程图；

图2示出了一种用于制作半导体器件的示例装置的主要部件的平面示意图，所述示例装置能够用于执行根据实施方案的制作半导体器件的方法；

图3示出了根据实施方案制作的半导体器件的单元阵列的立体图；

图4A至4H示出了在根据一个实施方案的制作半导体器件的方法中的各阶段的侧横截面图；

图5详细地示出了图4C的区域C的局部放大图；以及