[发明专利]组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统有效
| 申请号： | 202010007966.3 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111210857B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | S·比斯韦斯;F·内马蒂 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | G11C11/4093 | 分类号： | G11C11/4093;G11C5/02;G11C5/06;H10B12/00;H10B80/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘玉洁 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统。在一个实施例中，存储器系统可包括在至少一个特性上不同的至少两种类型的DRAM。例如，一个DRAM类型可以是高密度DRAM，而另一个DRAM类型比第一DRAM类型可具有更低的密度但也可具有更低的延迟和更高的带宽。第一类型的DRAM可位于一个或多个第一集成电路上，并且第二类型的DRAM可位于一个或多个第二集成电路上。在一个实施例中，第一集成电路和第二集成电路可在叠堆中耦接在一起。第二集成电路可包括用于耦接到其他电路(例如，具有存储器控制器的集成电路，诸如片上系统(SOC))的物理层电路，并且物理层电路可被第一集成电路中的DRAM共享。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 高密度 宽和 密度 带宽 存储器 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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