[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法、电力变换装置在审
| 申请号： | 201980093714.2 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113544858A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 野口宗隆 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张智慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅半导体装置具备：在由碳化硅构成的半导体基板(10)上形成的n型的漂移层(20)、在漂移层(20)的表层部形成的p型的阱区域(30)、在阱区域(30)的表层部形成的n型的源极区域(40)、以与源极区域(40)、阱区域(30)和漂移层(20)相接的方式形成的栅极绝缘膜(50)、和在栅极绝缘膜(50)上形成的栅极(60)。该碳化硅半导体装置在从阱区域(30)与栅极绝缘膜(50)的界面向阱区域(30)侧预定的厚度的区域中含有氧。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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