[发明专利]光学透明的半导体缓冲层和应用这种半导体缓冲层的结构

摘要

包括光学透明的变质缓冲层区域的半导体结构，应用这种结构的器件以及制造方法。光学透明的变质缓冲层生长为可在较小的晶格常数和较大的晶格常数(反之亦然)之间提供晶格常数转变，从而允许将具有两种不同晶格常数的材料单片集成。这样的缓冲层可以包括来自元素周期表的第V族的至少两种元素。光学透明的变质缓冲层区域可以包括数字合金超晶格结构，以将材料缺陷限制在变质缓冲层中，并改善变质缓冲层的电性能，从而改善诸如光电器件和光伏电池之类的电子器件的电子特性。光子器件(例如太阳能电池和光学检测器)包含此类半导体结构。