[发明专利]光学透明的半导体缓冲层和应用这种半导体缓冲层的结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一光吸收材料层，所述第一光吸收材料层具有第一带隙、第一晶格常数和第一吸收光谱；

由第一光吸收材料层承载的光学透明的变质缓冲层，所述光学透明的变质缓冲层具有变质缓冲层晶格常数；

和

第二光吸收材料层，所述第二光吸收材料层由所述变质缓冲层承载，并具有第二带隙、第二晶格常数和第二吸收光谱；

其中，所述光学透明的变质缓冲层对于被第一光吸收材料层和第二光吸收材料层中的至少一层吸收的光是透过性的。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光学透明的变质缓冲层对于被所述第一光吸收材料层吸收的第一光和被所述第二光吸收材料层吸收的第二光是透过性的。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括第三光吸收材料层，所述第三光吸收材料层设置成被所述第一光吸收材料层或所述第二光吸收材料层与所述光学透明的变质缓冲层分隔开；

其中，所述光学透明的变质缓冲层对于第一光、第二光和第三光是透过性的；

其中，所述第一光是被所述第一光吸收材料层吸收的光，所述第二光是被所述第二光吸收材料层吸收的光，所述第三光是被所述第三光吸收材料层吸收的光。

4.根据权利要求1、2和3中的一项所述的半导体结构，并且包括来自元素周期表的第V族中的至少两种元素。

5.根据权利要求1、2和3中的一项所述的半导体结构，

其中，当在第一材料层上生长时，所述光学透明的变质缓冲层被配置为使变质缓冲层晶格常数的值从第一值变化为第二值，

其中，所述第一值基本等于所述第一晶格常数，所述第二值不等于所述第一值。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，与所述光学透明的变质缓冲层紧邻并与所述光学透明的变质缓冲层形成界面的层是所述第一光吸收材料层、所述第二光吸收材料层和辅助缓冲层中的至少一层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述辅助缓冲层与所述第一光吸收材料层和所述第二光吸收材料层中的一层彼此紧邻并在它们之间形成界面。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构没有彼此粘合的层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

与光学透明的变质缓冲层相邻的掺杂层。

10.根据权利要求1和9中的一项所述的半导体结构，其中，所述光学透明的变质缓冲层是掺杂的。

11.根据权利要求1、2和3中的一项所述的半导体结构，包括上表面和下表面，并且在所述上表面和下表面之间包含多个子层，以及

其中，多个子层中的不同子层的特征在于，来自元素周期表的第V族中的至少两种元素中至少一种的含量不同。

12.根据权利要求1-8和11中的一项所述的半导体结构，还包括位于所述第一光吸收材料层下方的第一掺杂材料层和位于所述第二光吸收材料层上方的第二掺杂材料层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂材料层包含n型的掺杂剂，所述第二掺杂材料层包含p型的掺杂剂。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂材料层包含p型的掺杂剂，并且所述第二掺杂材料层包含n型的掺杂剂。

15.根据权利要求1至14中的一项所述的半导体结构，其中，所述光学透明的变质缓冲层掺杂有与所述光学透明的变质缓冲层紧邻的掺杂材料层中所包含的掺杂剂相同种类的掺杂剂。