[发明专利]分类半导体样本中的缺陷在审

专利信息
申请号: 201980065723.0 申请日: 2019-11-24
公开(公告)号: CN112805719A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: A·阿斯巴格;B·科恩;S·甘-奥 申请(专利权)人: 应用材料以色列公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 以色列瑞*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了用于分类半导体样本中的缺陷的分类器和方法。方法包括:接收分类为多数类别的第一组缺陷,而一些缺陷属于(一个或多个)少数类别且一些缺陷属于多数类别;选择属性子集并为属性定义区分项,以使第二分类器使用属性子集和区分项正确地将至少一部分缺陷分类为少数类别以及多数类别;生成训练集,所述训练集包括:多数类别的缺陷、少数类别的缺陷、以及被第二分类器分类为少数类别的额外缺陷;在训练集、子集和区分项上训练引擎,所述引擎获取对于缺陷属于多数类别的可信度;将引擎应用于被分类为多数类别的第二组缺陷,以获得对于将每个缺陷分类为多数类别的可信度;以及输出具有低可信度的缺陷为属于(一个或多个)少数类别。
搜索关键词: 分类 半导体 样本 中的 缺陷
【主权项】:
暂无信息
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