[发明专利]n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201980053810.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112567078B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 矶宪司;高桥达也;望月多惠;江夏悠贵 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm |
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| 搜索关键词： | gan 结晶 晶片 以及 氮化物 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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