[发明专利]TSV上的偏移焊盘有效
申请号: | 201980048835.5 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN112470270B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | B·李;G·高 | 申请(专利权)人: | 伊文萨思粘合技术公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/00;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;杨飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 可以采用包括过程步骤的代表性技术和设备来减轻由于键合界面处的金属膨胀而导致的经键合微电子衬底的分层的可能性。例如,金属焊盘可以设置在微电子衬底中的至少一个微电子衬底的键合表面处,其中接触焊盘相对于衬底中的TSV偏移地定位并且电耦合到TSV。 | ||
搜索关键词: | tsv 偏移 | ||
【主权项】:
暂无信息
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