[发明专利]TSV上的偏移焊盘

权利要求书

1.一种形成微电子组件的方法，包括：

将第一穿硅过孔提供到具有第一键合表面的第一衬底中，所述第一穿硅过孔在与所述第一键合表面正交的方向上延伸通过所述第一衬底的至少一部分，而不在所述第一键合表面处暴露；

在所述第一键合表面中提供凹部，所述凹部在与所述第一键合表面正交的方向上与所述第一穿硅过孔对准并且与所述第一穿硅过孔交叠；

在所述第一键合表面处提供第一金属接触焊盘，所述第一金属接触焊盘在与所述第一键合表面正交的所述方向上相对于所述第一穿硅过孔偏移并且不与所述第一穿硅过孔交叠，所述第一金属接触焊盘使用一个或多个嵌入式导电迹线而被电耦合到所述第一穿硅过孔；以及

将所述第一衬底键合到第二衬底，所述凹部被设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间的键合界面处。

2.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法，其中所述一个或多个嵌入式导电迹线被提供为重分布层的一部分，并且所述重分布层的至少一部分被设置在所述第一穿硅过孔与所述凹部之间。

3.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法，还包括：在所述第一键合表面中提供所述凹部，以使所述凹部的直径比所述第一穿硅过孔的直径大预先确定的量。

4.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法，其中所述凹部被配置为在键合过程期间补偿所述第一穿硅过孔的膨胀。

5.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法，还包括：从所述第一衬底移除材料，以在与所述第一键合表面相对的一侧处暴露所述第一穿硅过孔。

6.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法，还包括：使所述第一金属接触焊盘的暴露表面成形。

7.一种形成微电子组件的方法，包括：

形成第一衬底以具有基部层以及所述基部层上的绝缘层，所述绝缘层具有第一键合表面，第一穿硅过孔在与所述第一键合表面正交的方向上至少部分地延伸通过所述第一衬底的所述基部层，而不在所述第一键合表面处暴露；

在所述第一键合表面中形成与所述第一穿硅过孔交叠的凹部，所述凹部被配置为在键合步骤期间补偿所述第一穿硅过孔的热膨胀；

在所述第一键合表面处设置第一金属接触焊盘，所述第一金属接触焊盘相对于所述第一穿硅过孔的位置偏移；

使用一个或多个嵌入式导电迹线将所述第一金属接触焊盘电耦合到所述第一穿硅过孔；以及

在所述第一衬底的所述第一键合表面处，使用直接电介质到电介质、非粘合剂键合技术将所述第一衬底直接键合到第二衬底。

8.根据权利要求7所述的形成微电子组件的方法，还包括：对所述第一键合表面进行平坦化，以具有用于直接键合的预先确定的最大表面变化，并且对所述第一金属接触焊盘进行平坦化，以相对于所述第一键合表面具有预先确定的凹部。

9.根据权利要求7所述的形成微电子组件的方法，还包括：在所述第一衬底的与所述绝缘层相对的第二表面上沉积一个或多个无机电介质层，并且对所述一个或多个无机电介质层进行平坦化，以形成具有第二预先确定的最大表面变化的第二键合表面。

10.根据权利要求9所述的形成微电子组件的方法，还包括：在所述第一衬底的所述第二键合表面处，使用直接电介质到电介质、非粘合剂键合技术将所述第一衬底直接键合到第二衬底。

11.根据权利要求9所述的形成微电子组件的方法，其中所述沉积包括：在所述第一衬底的所述第二表面处沉积第一低温绝缘层，在所述第一低温绝缘层上沉积第二低温绝缘层，以及在所述第二低温绝缘层上沉积第三绝缘层，以形成所述第二键合表面。