[发明专利]用于沉积含硅膜的组合物及其使用方法在审
| 申请号： | 201980039035.7 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112292479A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | R·G·里奇韦;R·N·维蒂斯;M·B·拉奥 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/50;C23C16/448;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了用于在具有表面特征的至少衬底的表面上形成含硅膜的组合物及其使用方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。一方面，使用包含碳碳双键或碳碳三键的化合物来沉积所述含硅膜。所采用的等离子体源包括组合操作的远程等离子体源和原位等离子体源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 含硅膜 组合 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
