[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201980037287.6 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112424917B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;王健;郭鸿 | 申请（专利权）人： | 港大科桥有限公司;皇家学习促进会/麦吉尔大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 瞿文慧;陈岚 |
| 地址： | 中国香港数码港道*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。所述器件包括：衬底；在所述衬底上的氧化物层；在所述氧化物层上的栅极；在所述衬底上的源极和漏极，其中所述源极和所述漏极掺杂有第一类型的掺杂剂；以及耦合到所述源极的冷源极，其中所述冷源极包括结，所述结在掺杂有第二类型的掺杂剂的半导体与从由金属和半金属组成的群组中选择的材料之间。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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