[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的氧化物层；

在所述氧化物层上的栅极；

在所述衬底上的源极和漏极，其中所述源极和所述漏极掺杂有第一类型的掺杂剂；以及

耦合到所述源极的冷源极，其中所述冷源极包括结，所述结在掺杂有第二类型的掺杂剂的半导体与从由金属和半金属组成的群组中选择的材料之间。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述冷源极的所述半导体包括耦合到所述金属的p-型半导体以形成所述结。

3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述冷源极的所述半导体包括袋形掺杂区。

4.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述材料从由铝、铂、钯、钴、钌、银、石墨烯和二维分层金属组成的所述群组中选择。

5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一类型的所述掺杂剂包括n-型掺杂剂，并且所述第二类型的所述掺杂剂包括p-型掺杂剂。

6.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一类型的所述掺杂剂包括p-型掺杂剂，并且所述第二类型的所述掺杂剂包括n-型掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述MOSFET器件配置成在室温下具有小于60 mV/decade的亚阈值摆幅。

8.根据权利要求7所述的MOSFET器件，其中所述MOSFET器件配置成具有在23 mV/decade与60 mV/decade之间的亚阈值摆幅。

9.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述冷源极配置成在所述源极中提供能带间隙从而抑制热尾。

10.根据权利要求9所述的MOSFET器件，其中所述冷源极配置成注入冷载流子，所述冷载流子具有不积极延伸到所述热尾中的分布。

11.一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件的制造方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上提供氧化物层；

在所述氧化物层上形成栅极；

在所述衬底上形成源极和漏极，其中所述源极和所述漏极掺杂有第一类型的掺杂剂；以及

形成耦合到所述源极的冷源极，其中所述冷源极包括结，所述结在掺杂有第二类型的掺杂剂的半导体与从由金属和半金属组成的群组中选择的材料之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述冷源极的所述半导体包括耦合到所述金属的p-型半导体以形成所述结。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述冷源极的所述半导体包括袋形掺杂区。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述材料从由铝、铂、钯、钴、钌、银、石墨烯和二维分层金属组成的所述群组中选择。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一类型的所述掺杂剂包括n-型掺杂剂，并且所述第二类型的所述掺杂剂包括p-型掺杂剂。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一类型的所述掺杂剂包括p-型掺杂剂，并且所述第二类型的所述掺杂剂包括n-型掺杂剂。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述MOSFET器件配置成在室温下具有小于60mV/decade的亚阈值摆幅。