[发明专利]具有通过键合而形成的毗连通孔结构的半导体设备和用于形成其的方法在审
| 申请号： | 201980002771.5 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110945650A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体设备及其制造方法的实施方式。在一示例中，半导体设备包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括具有多个第一键合触点的第一键合层和垂直地延伸穿过第一键合层并进入第一半导体结构内的第一通孔结构。第二半导体结构包括具有多个第二键合触点的第二键合层和垂直地延伸穿过第二键合层并进入第二半导体结构内的第二通孔结构。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触，第一通孔结构与第二通孔结构接触，以及第一通孔结构和第二通孔结构的侧壁具有在键合界面处的交错剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 形成 毗连 结构 半导体设备 用于 方法 | ||
【主权项】：
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