[发明专利]图像传感器及其制造方法、芯片及手持装置在审
| 申请号： | 201980001351.5 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110574166A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨孟达 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01S17/08;G06K9/20 |
| 代理公司： | 11592 北京天驰君泰律师事务所 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种图像传感器(100/200/300/400/500)及其制造方法、芯片及采用该芯片的手持装置，所述图像传感器包括半导体衬底(108)和多个像素，其中所述多个像素中的每一像素包括：光敏传感器(106)，设置于所述半导体衬底；偏光层(104)，设置于所述半导体衬底上；微透镜(102)，设置于所述偏光层上，使所述偏光层位于所述微透镜和所述半导体衬底之间。本申请还公开了一种芯片、一种手持装置以及所述图像传感器的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 图像传感器 半导体 偏光层 像素 手持装置 芯片 微透镜 光敏传感器 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括半导体衬底和多个像素，其中所述多个像素中的每一像素包括：/n光敏传感器，设置于所述半导体衬底；/n偏光层，设置于所述半导体衬底上；/n微透镜，设置于所述偏光层上，使所述偏光层位于所述微透镜和所述半导体衬底之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
