[发明专利]图像传感器及其制造方法、芯片及手持装置

说明书

本申请公开了一种图像传感器(100/200/300/400/500)及其制造方法、芯片及采用该芯片的手持装置，所述图像传感器包括半导体衬底(108)和多个像素，其中所述多个像素中的每一像素包括：光敏传感器(106)，设置于所述半导体衬底；偏光层(104)，设置于所述半导体衬底上；微透镜(102)，设置于所述偏光层上，使所述偏光层位于所述微透镜和所述半导体衬底之间。本申请还公开了一种芯片、一种手持装置以及所述图像传感器的制造方法。

技术领域

本申请涉及一种图像传感器及其制造方法、芯片及采用该芯片的手持装置，尤其涉及一种具偏光层的图像传感器及图像传感器的制造方法、图像传感芯片及手持装置。

背景技术

CMOS图像传感器已经得到大规模生产和应用。传统的图像传感器可以生成二维(2D)图像和视频，近来可以产生三维(3D)图像的图像传感器和系统受到广泛关注，这些三维图像传感器可以应用于脸部识别，增强现实(AR，AUgmented Reality)/虚拟现实(VR，Virtual Reality)，无人机等。

现有的三维图像传感器主要有三种实现方式：立体双目，结构光和飞行时间(ToF，Time of Flight)。

飞行时间是采用特殊设计的像素，通过测量光子飞行和返回的时间来测距，但是目前的技术还不能生成足够精度的深度图。为了增加建模的精准度以及降低成本，如何简单地达到改善飞行时间传感器的精準度的目的，已成为一个重要的工作项目。

发明内容

本申请的目的之一在于公开一种图像传感器及其制造方法、芯片及采用该芯片的手持装置，来解决上述问题。

本申请的一实施例公开了一种图像传感器，包括半导体衬底和多个像素，其中所述多个像素中的每一像素包括：光敏传感器，设置于所述半导体衬底；偏光层，设置于所述半导体衬底上；微透镜，设置于所述偏光层上，使所述偏光层位于所述微透镜和所述半导体衬底之间。

本申请的一实施例公开了一种图像传感器制造方法，包括：提供半导体衬底；于所述半导体衬底上形成偏光层；以及于所述偏光层上形成微透镜。

本申请的一实施例公开了一种芯片，包括上述的图像传感器。

本申请的一实施例公开了一种手持装置，用以执行飞行时间感测，包括：显示面板；以及上述的图像传感器。

本申请实施例在图像传感器中增加了偏光层，可改善飞行时间传感器的精准度。

附图说明

图1为本申请的图像传感器的其中一个像素的实施例的剖面图；

图2为图1所示的图像传感器的俯视图；

图3为图2所示的图像传感器沿剖面线得到的剖面图；

图4为本申请的图像传感器的四个像素的实施例的俯视图；

图5至图9为图3所示的图像传感器的制造流程示意图；

图10为本申请的图像传感器的其中一个像素的另一实施例的剖面图；

图11为本申请手持装置的实施例的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300、400、500、1000 图像传感器

102、1002 微透镜

104、1004 偏光层

106、1006 光敏传感器

108、1009 半导体衬底