[发明专利]图像传感器及其制造方法、芯片及手持装置在审
申请号: | 201980001351.5 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN110574166A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 杨孟达 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S17/08;G06K9/20 |
代理公司: | 11592 北京天驰君泰律师事务所 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 图像传感器 半导体 偏光层 像素 手持装置 芯片 微透镜 光敏传感器 申请 制造 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括半导体衬底和多个像素,其中所述多个像素中的每一像素包括:
光敏传感器,设置于所述半导体衬底;
偏光层,设置于所述半导体衬底上;
微透镜,设置于所述偏光层上,使所述偏光层位于所述微透镜和所述半导体衬底之间。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述偏光层包括网格层。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其中,所述网格层包括钛(Ti),钨(W),铝(Al),铜(Cu)及/或其组合。
4.如权利要求2所述的图像传感器,其中,所述网格层包括平行设置的多条栅线布满所述半导体衬底上。
5.如权利要求4所述的图像传感器,其中,所述偏光层还包括盖冒层覆盖所述网格层。
6.如权利要求4所述的图像传感器,其中,所述网格层中的所述平行设置的多条栅线的间距相等。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一像素还包括后端制程堆叠件设置于所述微透镜和所述半导体衬底之间,且所述偏光层包括所述后端制程堆叠件中的金属化层。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中,所述金属化层包括平行设置的多条栅线布满所述半导体衬底上。
9.如权利要求1-8任意一项所述的图像传感器,其中,所述多个像素包括多个像素组,其中所述多个像素组中的每一个包括第一像素和第二像素,所述第一像素以及所述第二像素的所述偏光层具有不同的图案。
10.如权利要求9所述的图像传感器,其中,所述第一像素和所述第二像素临接。
11.如权利要求9所述的图像传感器,其中所述第一像素以及所述第二像素的所述偏光层的所述网格层具有不同的图案。
12.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一像素的所述网格层包括平行设置的多条第一栅线,所述第二像素的所述网格层包括平行设置的多条第二栅线,其中所述多条第一栅线和所述多条第二栅线的方向不同。
13.如权利要求12所述的图像传感器,其中所述多条第一栅线和所述多条第二栅线的方向差距为45度。
14.如权利要求13所述的图像传感器,其中所述多个像素组中的每一个还包括第三像素以及第四像素,
其中所述第三像素临接所述第二像素,以及所述第四像素临接所述第一像素,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素以及所述第四像素的所述偏光层具有不同的图案。
15.如权利要求14所述的图像传感器,其中所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素以及所述第四像素的所述网格层具有不同的图案。
16.如权利要求15所述的图像传感器,其中所述第三像素的所述网格层包括平行设置的多条第三栅线,所述第四像素的所述网格层包括平行设置的多条第四栅线,其中所述多条第一栅线、所述多条第二栅线、所述多条第三栅线和所述多条第四栅线的方向不同。
17.如权利要求16所述的图像传感器,其中所述多条第三栅线和所述多条第四栅线的方向差距为45度,且所述多条第一栅线和所述多条第三栅线彼此垂直。
18.一种图像传感器制造方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底;
于所述半导体衬底上形成偏光层;以及
于所述偏光层上形成微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的