[发明专利]具有静态随机存取存储器的三维存储器件在审
| 申请号： | 201980000891.1 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110291631A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李跃平;侯春源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L27/11;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 具有三维(3D)存储器件的3D存储器件的实施例包括具有外围电路、SRAM单元的阵列、以及具有多个第一键合触点的第一键合层的第一半导体结构。3D存储器件还包括具有3D NAND存储器串的阵列、以及包括多个第二键合触点的第二键合层的第二半导体结构、以及第一键合层和第二键合层之间的键合界面，其中第一键合触点与第二键合触点在键合界面处接触。 | ||
| 搜索关键词： | 键合层 触点 键合 存储器件 半导体结构 键合界面 静态随机存取存储器 三维存储器件 外围电路 三维 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括外围电路、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列、以及包括多个第一键合触点的第一键合层；第二半导体结构，所述第二半导体结构包括3D NAND存储器串的阵列以及包括多个第二键合触点的第二键合层；以及在所述第一键合层和所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合触点与所述第二键合触点在所述键合界面处接触。
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