[发明专利]贯穿硅触点结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201980000367.4 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110036475B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;S-F·S·鞠 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 在TSC结构中，在衬底的第一主表面之上形成第一电介质层。所述衬底包括相对的第二主表面。在所述第一电介质层和所述衬底中形成TSC，使得所述TSC穿过所述第一电介质层并且延伸至所述衬底中。在所述第一电介质层之上形成与所述TSC电耦合的导电板。在衬底中形成隔离沟槽，以包围所述导电板并且与导电板隔开。在衬底的第二主表面上形成第二电介质层。在所述第二电介质层中形成延伸至所述衬底中并且连接至所述TSC的第一多个通孔。在所述第二电介质层中形成延伸至所述衬底中，但是不连接至所述TSC的第二多个通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 贯穿 触点 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成结构，包括：第一电介质层，所述第一电介质层形成于衬底的第一主表面之上，所述衬底进一步包括相对的第二主表面；贯穿硅触点(TSC)，所述贯穿硅触点(TSC)形成于所述第一电介质层和所述衬底中，使得所述TSC延伸穿过所述第一电介质层并且延伸至所述衬底中；导电板，所述导电板形成于所述第一电介质层之上，所述导电板与所述TSC电耦合；隔离沟槽，所述隔离沟槽形成于所述衬底中并且包围所述导电板，所述隔离沟槽和所述导电板相互隔开；第二电介质层，所述第二电介质层形成于所述衬底的所述第二主表面上；第一多个通孔，所述第一多个通孔形成于所述第二电介质层中，所述第一多个通孔穿过所述第二主表面延伸至所述衬底中并且连接至所述TSC。
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