[发明专利]贯穿硅触点结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成结构，包括：

第一电介质层，所述第一电介质层形成于衬底的第一主表面之上，所述衬底进一步包括相对的第二主表面；

贯穿硅触点(TSC)，所述贯穿硅触点(TSC)形成于所述第一电介质层和所述衬底中，使得所述贯穿硅触点(TSC)延伸穿过所述第一电介质层并且延伸至所述衬底中；

导电板，所述导电板形成于所述第一电介质层之上，所述导电板与所述贯穿硅触点(TSC)电耦合；

隔离沟槽，所述隔离沟槽形成于所述衬底中并且包围所述导电板，所述隔离沟槽和所述导电板相互隔开；

第二电介质层，所述第二电介质层形成于所述衬底的所述第二主表面上；

第一多个通孔，所述第一多个通孔形成于所述第二电介质层中，所述第一多个通孔穿过所述第二主表面延伸至所述衬底中并且连接至所述贯穿硅触点(TSC)。

2.根据权利要求1所述的集成结构，还包括：

形成于所述第二电介质层之上的金属线，其中，所述金属线连接至所述第一多个通孔。

3.根据权利要求2所述的集成结构，还包括：

第二多个通孔，所述第二多个通孔形成于所述第二电介质层中，所述第二多个通孔穿过所述第二主表面延伸至所述衬底中并且连接至所述金属线，其中，所述第二多个通孔不连接至所述贯穿硅触点(TSC)。

4.根据权利要求1所述的集成结构，其中，所述隔离沟槽延伸穿过所述衬底的所述第一主表面和所述第二主表面。

5.根据权利要求1所述的集成结构，其中，所述隔离沟槽延伸穿过所述第一电介质层以及所述衬底的所述第一主表面和所述第二主表面。

6.根据权利要求1所述的集成结构，其中，所述贯穿硅触点(TSC)还包括：

阻挡层，所述阻挡层与所述第一电介质层和所述衬底直接接触；以及

导电层，所述导电层是沿所述阻挡层形成的并且被所述阻挡层包围，所述导电层与所述第一多个通孔连接。

7.根据权利要求1所述的集成结构，其中，所述贯穿硅触点(TSC)形成于所述第一电介质层和所述衬底中，使得所述贯穿硅触点(TSC)延伸穿过所述第一电介质层以及所述衬底的所述第一主表面和所述第二主表面。

8.根据权利要求1所述的集成结构，其中，所述隔离沟槽和所述第一电介质层是共平面的。

9.根据权利要求1所述的集成结构，其中，所述隔离沟槽包括锥形轮廓。

10.根据权利要求9所述的集成结构，其中，所述隔离沟槽在所述第一主表面具有第一临界尺寸(CD)而在所述第二主表面具有第二临界尺寸(CD)，所述第一临界尺寸(CD)大于所述第二临界尺寸(CD)。

11.一种集成电路(IC)芯片，包括：

衬底，所述衬底具有相对的顶表面和底表面；

存储单元区，所述存储单元区形成于所述衬底的顶表面中；以及

贯穿硅触点(TSC)结构，所述贯穿硅触点(TSC)结构被形成为与所述存储单元区相邻，所述贯穿硅触点结构包括：

底部电介质层，所述底部电介质层形成于所述衬底的所述底表面之上；

贯穿硅触点(TSC)，所述贯穿硅触点(TSC)形成于所述底部电介质层和所述衬底中，使得所述贯穿硅触点(TSC)穿过所述底部电介质层并且延伸至所述衬底中；

导电板，所述导电板形成于所述底部电介质层之上，所述导电板与所述贯穿硅触点(TSC)电耦合；

隔离沟槽，所述隔离沟槽形成于所述衬底中并且包围所述导电板，所述隔离沟槽和所述导电板相互隔开；

顶部电介质层，所述顶部电介质层形成于所述衬底的所述顶表面上；

第一多个通孔，所述第一多个通孔形成于所述顶部电介质层中，所述第一多个通孔穿过所述顶表面延伸至所述衬底中并且连接至所述贯穿硅触点(TSC)。