[实用新型]一种半导体刻蚀装置有效
| 申请号： | 201921856087.7 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN210837667U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘山林 | 申请（专利权）人： | 山东光弘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/16;H01J37/305 |
| 代理公司： | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人： | 张清东 |
| 地址： | 264000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种半导体刻蚀装置，属于半导体设备领域。为解决成本较高的问题，以及解决成本问题后出现的各部位环境状态不均匀、各部位加工相互影响的问题，本实用新型提供了一种半导体刻蚀装置，包括半导体蚀刻设备，所述的半导体蚀刻设备包括工作腔，所述的工作腔内设有多个工作部分，所述的工作部分包括进气管、上部电极和下部电极，所述的多个工作部分固定在一个驱动台上，驱动台下侧所述的多个工作部分的进气管连接同一个蚀刻气体管道，所述的相邻工作部分之间设有隔离板，所述的驱动台与下部电极间设有垫台，所述的每个进气管的侧面均设有环境监测装置；实现同一环境内多个加工位，并且能够实时监测各部位环境状态是否均匀，防止各部位加工相互影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
