[实用新型]一种半导体刻蚀装置

说明书

一种半导体刻蚀装置，属于半导体设备领域。为解决成本较高的问题，以及解决成本问题后出现的各部位环境状态不均匀、各部位加工相互影响的问题，本实用新型提供了一种半导体刻蚀装置，包括半导体蚀刻设备，所述的半导体蚀刻设备包括工作腔，所述的工作腔内设有多个工作部分，所述的工作部分包括进气管、上部电极和下部电极，所述的多个工作部分固定在一个驱动台上，驱动台下侧所述的多个工作部分的进气管连接同一个蚀刻气体管道，所述的相邻工作部分之间设有隔离板，所述的驱动台与下部电极间设有垫台，所述的每个进气管的侧面均设有环境监测装置；实现同一环境内多个加工位，并且能够实时监测各部位环境状态是否均匀，防止各部位加工相互影响。

技术领域

本实用新型涉及半导体刻蚀设备技术领域，具体地说就是一种半导体刻蚀装置。

背景技术

简介：干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的，此种刻蚀工艺对环境要求比较苛刻，需要真空等环境，来保证蚀刻气体进行工作；

新型构思：由于加工环境的苛刻，塑造这种环境成本较高，便会出现每个工作空间都需要一整套设备来维持的问题，造成巨大的成本投入；若果能够实现同一环境内多个加工位，那么将大大缓解这个问题，但较大空间随之而来的各部位环境状态不均匀，以及各部位加工相互影响的问题，这样就会使加工出现问题。

发明内容

为解决上述成本较高的问题，以及解决成本问题后出现的各部位环境状态不均匀、各部位加工相互影响的问题，本实用新型提供了一种半导体刻蚀装置。

本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是：一种半导体刻蚀装置，包括半导体蚀刻设备，所述的半导体蚀刻设备包括工作腔，所述的工作腔内设有多个工作部分，所述的工作部分包括进气管、上部电极和下部电极，所述的多个工作部分固定在一个驱动台上，驱动台下侧所述的多个工作部分的进气管连接同一个蚀刻气体管道，所述的相邻工作部分之间设有隔离板，所述的驱动台与下部电极间设有垫台，所述的每个进气管的侧面均设有环境监测装置。

作为优化，所述的环境监测装置包括温度传感器、等离子体监测控制仪和绝对压力表。

作为优化，所述的工作部分的数量为2～4个。

作为优化，所述的工作腔的长度大于所有工作部分宽度之和。

作为优化，所述的下部电极上放置待加工的硅片。

本实用新型的整体有益效果是：实现同一环境内多个加工位，大大降低了投入成本，并且能够实时监测各部位环境状态是否均匀，防止各部位加工相互影响；

多技术特征协同作用的效果：在同一工作腔的大环境下，利用隔板进行不完全隔绝，防止各加工部位的等离子体相互影响，尤其是防止某一个加工部位出现问题时影响其他部位的正常加工，并且结合多个环境监测装置，保证在较大工作腔内，各部位的加工环境相同；

与现有技术相比，区别技术效果是：利用同一个驱动台同时作用于多个工作部分，以及利用同一根蚀刻气体管道供应多个工作部分，保证了各工作部分的一致性和同步性，与普通单工作部分的半导体蚀刻设备相比，增加了生产效率，降低了成本。

附图说明

附图1为本实用新型的结构示意图。

其中，1工作腔、2工作部分、3进气管、4上部电极、5下部电极、6驱动台、7蚀刻气体管道、8隔离板、9环境监测装置。

具体实施方式