[实用新型]一种半导体刻蚀装置

权利要求书

1.一种半导体刻蚀装置，包括半导体蚀刻设备，其特征在于：所述的半导体蚀刻设备包括工作腔(1)，所述的工作腔(1)内设有多个工作部分(2)，所述的工作部分(2)包括进气管(3)、上部电极(4)和下部电极(5)，所述的多个工作部分(2)固定在一个驱动台(6)上，驱动台(6)下侧所述的多个工作部分(2)的进气管(3)连接同一个蚀刻气体管道(7)，所述的相邻工作部分(2)之间设有隔离板(8)，所述的驱动台(6)与下部电极(5)间设有垫台，所述的每个进气管(3)的侧面均设有环境监测装置(9)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀装置，其特征在于：所述的环境监测装置(9)包括温度传感器、等离子体监测控制仪和绝对压力表。

3.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀装置，其特征在于：所述的工作部分(2)的数量为2～4个。

4.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀装置，其特征在于：所述的工作腔(1)的长度大于所有工作部分(2)宽度之和。

5.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀装置，其特征在于：所述的下部电极(5)上放置待加工的硅片。