[实用新型]一种重新布线层有效
| 申请号： | 201921152459.8 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN210040131U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;周祖源;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482;H01L21/683 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种重新布线层，所述重新布线层包括：金属种子层；金属线层，位于所述金属种子层的上表面；塑封层，覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁；其中，所述金属种子层为单一材料。采用单一材料制备的金属种子层代替传统的Ti/Cu种子层，以减少湿法刻蚀工艺造成的侧蚀，从而防止因金属线层与基板之间的连接面减少而引起的重新布线层的剥离，减少刻蚀工艺并提高细间距的重新布线层的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属种子层 重新布线层 金属线层 单一材料 上表面 本实用新型 刻蚀工艺 湿法刻蚀 传统的 连接面 塑封层 种子层 侧壁 侧蚀 基板 良率 制备 剥离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种重新布线层，其特征在于，所述重新布线层至少包括：/n金属种子层；/n金属线层，位于所述金属种子层的上表面；/n塑封层，覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁；/n其中，所述金属种子层为单一材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
