[实用新型]一种功率器件有效
| 申请号： | 201920884421.3 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN209947825U | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 黄立湘;缪桦 | 申请（专利权）人： | 深南电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种功率器件，该功率器件包括第一绝缘层；框架，设置于所述第一绝缘层的一侧，且设有容置空间；芯片，设置于容置空间内，且第一绝缘层设有连通芯片的第一过孔；第二绝缘层，设置于框架远离第一绝缘层的一侧并填充于容置空间以封装芯片，且第二绝缘层设有连通芯片的第二过孔；两个导电图案层，分别设置于所述第一绝缘层远离芯片的一侧及第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，并分别通过第一过孔及所述第二过孔与芯片电连接。上述实施方式能够实现芯片的双面散热，降低芯片的温度，提高芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 芯片 容置空间 功率器件 连通 导电图案层 芯片电连接 封装芯片 使用寿命 双面散热 填充 申请 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：/n第一绝缘层；/n框架，设置于所述第一绝缘层的一侧，且设有容置空间；/n芯片，设置于所述容置空间内，且所述第一绝缘层设有连通所述芯片的第一过孔；/n第二绝缘层，设置于所述框架远离所述第一绝缘层的一侧并填充于所述容置空间以封装所述芯片，且所述第二绝缘层设有连通所述芯片的第二过孔；/n两个导电图案层，分别设置于所述第一绝缘层远离所述芯片的一侧及所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，并分别通过所述第一过孔及所述第二过孔与所述芯片电连接。/n
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