[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920530895.8 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN209544324U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张志伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，涉及晶圆封装测试技术领域。该半导体器件包括：基底；电介质层，位于远离所述基底的一侧面上；位于所述电介质层上的焊盘；陷阱，形成于所述焊盘中，以便将所述焊盘划分为焊接焊盘和测试焊盘。在焊盘中形成陷阱，将焊盘划分为焊接焊盘和测试焊盘，使得探针伤害的区域与焊接焊盘不会相互影响，提升芯片的良率与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 半导体器件 焊接焊盘 测试焊盘 电介质层 基底 陷阱 封装测试 晶圆 良率 探针 芯片 伤害 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；电介质层，位于所述基底的一侧面上；焊盘，位于所述电介质层远离所述基底的表面；陷阱，形成于所述焊盘中，将所述焊盘划分为焊接焊盘和测试焊盘。
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