[实用新型]光电二极管以及光电转换器有效
| 申请号： | 201920283510.2 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN209729919U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | C·鲍多特;N·维利耶;S·克勒梅;D·佩利谢尔-塔农 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及光电二极管以及光电转换器。光电二极管包括由本征锗形成的有源区域。有源区域位于在硅层中形成的腔内。腔由相对的侧壁限定，侧壁相对于与硅层的底表面垂直的方向成角度。成角度的侧壁支持具有最小晶格缺陷的本征锗的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 光电二极管 源区域 本征 硅层 光电转换器 表面垂直 晶格缺陷 外延生长 腔内 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，其特征在于，包括：/n硅层，具有下表面和上表面，并且还包括从所述上表面延伸到所述硅层中的腔，所述腔具有相对的侧壁；以及/n有源区域，包括在所述腔内的锗区，其中所述锗区与所述腔的所述相对的侧壁接触，并且其中在与所述下表面的平面正交的方向和所述相对的侧壁的平面之间的角度大于近似10°。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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