[实用新型]光电二极管以及光电转换器

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：

硅层，具有下表面和上表面，并且还包括从所述上表面延伸到所述硅层中的腔，所述腔具有相对的侧壁；以及

有源区域，包括在所述腔内的锗区，其中所述锗区与所述腔的所述相对的侧壁接触，并且其中在与所述下表面的平面正交的方向和所述相对的侧壁的平面之间的角度大于近似10°。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述角度在从近似10°至近似20°的范围内。

3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述硅层的所述下表面搁置在绝缘层的上表面上。

4.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述锗区与所述绝缘层的所述上表面接触。

5.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，在所述相对的侧壁之间的所述腔的最大宽度小于近似700nm。

6.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，在所述相对的侧壁之间的所述腔的最大宽度在从近似400nm至近似600nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述锗区在所述硅层的所述上表面上方延伸。

8.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，进一步被配置为接收用于检测的光，其中所述光在与所述腔的所述相对的侧壁平行的方向上传播。

9.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，还包括：

在所述硅层内的第一掺杂区，邻近所述相对的侧壁中的第一侧壁，所述第一掺杂区掺杂有第一导电类型掺杂剂；以及

在所述硅层内的第二掺杂区，邻近所述相对的侧壁中的第二侧壁，所述第二掺杂区掺杂有第二导电类型掺杂剂。

10.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述腔具有的深度小于所述硅层的厚度，并且其中所述相对的侧壁在所述腔的底部处彼此接触，并且其中所述腔在与所述下表面垂直的横截面中具有三角形的形状。

11.一种光电转换器，其特征在于，包括：

光电二极管，其中所述光电二极管包括：

硅层，具有下表面和上表面，并且还包括从所述上表面延伸到所述硅层中的腔，所述腔具有相对的侧壁；和

有源区域，包括在所述腔内的锗区，其中所述锗区与所述腔的所述相对的侧壁接触，并且其中在与所述下表面的平面正交的方向和所述相对的侧壁的平面之间的角度大于近似10°；以及波导，被配置为将光传播到所述有源区域。

12.根据权利要求11所述的光电转换器，其特征在于，所述波导包括绝缘材料的沟槽，所述沟槽界定所述硅层的区域，所述区域被配置为接收所述光。

13.根据权利要求12所述的光电转换器，其特征在于，所述腔位于所述区域内。

14.根据权利要求12所述的光电转换器，其特征在于，所述光在与所述腔的所述相对的侧壁平行的方向上传播。

15.根据权利要求12所述的光电转换器，其特征在于，所述沟槽的高度等于所述硅层的厚度的一半。

16.根据权利要求11所述的光电转换器，其特征在于，所述角度在近似10°至近似20°的范围内。

17.根据权利要求11所述的光电转换器，其特征在于，还包括：

在所述硅层内的第一掺杂区，邻近所述相对的侧壁中的第一侧壁，所述第一掺杂区掺杂有第一导电类型掺杂剂；以及

在所述硅层内的第二掺杂区，邻近所述相对的侧壁中的第二侧壁，所述第二掺杂区掺杂有第二导电类型掺杂剂。