[实用新型]一种GaN-mode功率器件结构有效
| 申请号： | 201920241187.2 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209344062U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 白欣娇;李帅;崔素杭 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 周大伟 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN‑mode功率器件结构，包括氮化镓功率器件和导热块，氮化镓功率器件的右端设有引脚，氮化镓功率器件的上下两端左侧均设有卡槽，导热块的上下两端均设有连接件，连接件包括第一弹片，第一弹片的内侧右端固定安装有卡块，两个第一弹片的内侧分别紧密贴合在氮化镓功率器件的上下两端，两个卡块分别卡接在两个卡槽内，本实用新型通过在氮化镓功率器件的左端设有导热块，导热块的上下两侧均设有连接件，在通过卡槽内通过第二弹片控制的顶块向右顶动卡块，进而实现导热块的右端和氮化镓功率器件的左端的紧密接触，进而保证热量的传导路径，提高氮化镓功率器件的散热效果，保证使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓功率器件 导热 弹片 上下两端 连接件 卡槽 功率器件结构 本实用新型 卡块 传导路径 紧密贴合 散热效果 上下两侧 使用寿命 动卡块 顶块 卡接 引脚 左端 保证 | ||
【主权项】：
1.一种GaN‑mode功率器件结构，包括氮化镓功率器件(1)和导热块(3)，其特征在于：所述氮化镓功率器件(1)的右端设有引脚(2)，所述氮化镓功率器件(1)的上下两端左侧均设有卡槽(6)，所述导热块(3)的上下两端均设有连接件(5)，所述连接件(5)包括第一弹片(7)，所述第一弹片(7)的内侧右端固定安装有卡块(8)，两个所述第一弹片(7)的内侧分别紧密贴合在氮化镓功率器件(1)的上下两端，两个所述卡块(8)分别卡接在两个所述卡槽(6)内；所述卡槽(6)的内壁固定安装有第二弹片(17)，所述第二弹片(17)的右侧固定安装有顶块(18)，所述顶块(18)的右侧紧密贴合在卡块(8)的左端，所述导热块(3)的右端紧密贴合在氮化镓功率器件(1)的左端，所述顶块(18)的右端顶部设有弧面(19)。
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