[实用新型]一种GaN-mode功率器件结构

说明书

本实用新型公开了一种GaN‑mode功率器件结构，包括氮化镓功率器件和导热块，氮化镓功率器件的右端设有引脚，氮化镓功率器件的上下两端左侧均设有卡槽，导热块的上下两端均设有连接件，连接件包括第一弹片，第一弹片的内侧右端固定安装有卡块，两个第一弹片的内侧分别紧密贴合在氮化镓功率器件的上下两端，两个卡块分别卡接在两个卡槽内，本实用新型通过在氮化镓功率器件的左端设有导热块，导热块的上下两侧均设有连接件，在通过卡槽内通过第二弹片控制的顶块向右顶动卡块，进而实现导热块的右端和氮化镓功率器件的左端的紧密接触，进而保证热量的传导路径，提高氮化镓功率器件的散热效果，保证使用寿命。

技术领域

本实用新型GaN-mode功率器件领域，具体为一种GaN-mode功率器件结构。

背景技术

氮化镓功率器件作为常见的功率器件，被使用在不同的电器元件装配中，目前为保证氮化镓功率器件的散热效果，通常在氮化镓功率器件上安装有导热片，但是导热片和氮化镓功率器件通过弹性件进行固定，由于弹性件只是单纯的使氮化镓功率器件的上下两端和弹性件接触，导热片的右端和氮化镓功率器件的左端存在一定缝隙，会使导热片的导热效果不好，所以在通过导热片散热时，会导致氮化镓功率器件的散热效果差，为此，我们提出一种GaN-mode功率器件结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种GaN-mode功率器件结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种GaN-mode功率器件结构，包括氮化镓功率器件和导热块，所述氮化镓功率器件的右端设有引脚，所述氮化镓功率器件的上下两端左侧均设有卡槽，所述导热块的上下两端均设有连接件，所述连接件包括第一弹片，所述第一弹片的内侧右端固定安装有卡块，两个所述第一弹片的内侧分别紧密贴合在氮化镓功率器件的上下两端，两个所述卡块分别卡接在两个所述卡槽内；

所述卡槽的内壁固定安装有第二弹片，所述第二弹片的右侧固定安装有顶块，所述顶块的右侧紧密贴合在卡块的左端，所述导热块的右端紧密贴合在氮化镓功率器件的左端，所述顶块的右端顶部设有弧面。

优选的，所述导热块的右端设有矩形槽，所述矩形槽内设有导热硅脂片，所述导热硅脂片的右侧和氮化镓功率器件的左端相贴合。

优选的，所述导热块的左端设有散热口。

优选的，所述引脚包括第一脚片，所述第一脚片的右端一体成型有第二脚片，所述第一脚片和第二脚片呈垂直分布。

优选的，所述第一脚片的侧壁右端固定安装有锁紧装置；

所述锁紧装置包括外螺纹环和内螺纹环，所述内螺纹环螺接在外螺纹环上，所述外螺纹环的内侧壁固定安装在第一脚片的侧壁右端，所述外螺纹环的外侧壁左端上下两侧均一体成型有第一卡块，所述内螺纹环的外侧壁右端上下两侧均一体成型有第二卡块。

优选的，所述氮化镓功率器件的右端固定安装有固定板，所述固定板的右侧设有通孔，所述通孔的内侧壁固定安装有橡胶层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在氮化镓功率器件的左端设有导热块，导热块的上下两侧均设有连接件，连接件由第一弹片和卡块组成，通过第一弹片的弹力可使卡块进入到氮化镓功率器件上下两端的卡槽内，在通过卡槽内通过第二弹片控制的顶块向右顶动卡块，进而实现导热块的右端和氮化镓功率器件的左端的紧密接触，进而保证热量的传导路径，提高氮化镓功率器件的散热效果，保证使用寿命。

引脚由第一脚片和第二脚片组成，且第一脚片和第二脚片为一体成型形成，第一脚片和第二脚片呈垂直状态，方便在安装氮化镓功率器件，使第二脚片可实现变形，便于适应不同电路板上的插孔，增加实用性。

附图说明

图1为本实用新型的整体示意图。

图2为本实用新型的a处示意图。