[实用新型]一种GaN-mode功率器件结构有效
| 申请号： | 201920241187.2 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209344062U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 白欣娇;李帅;崔素杭 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 周大伟 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓功率器件 导热 弹片 上下两端 连接件 卡槽 功率器件结构 本实用新型 卡块 传导路径 紧密贴合 散热效果 上下两侧 使用寿命 动卡块 顶块 卡接 引脚 左端 保证 | ||
1.一种GaN-mode功率器件结构，包括氮化镓功率器件(1)和导热块(3)，其特征在于：所述氮化镓功率器件(1)的右端设有引脚(2)，所述氮化镓功率器件(1)的上下两端左侧均设有卡槽(6)，所述导热块(3)的上下两端均设有连接件(5)，所述连接件(5)包括第一弹片(7)，所述第一弹片(7)的内侧右端固定安装有卡块(8)，两个所述第一弹片(7)的内侧分别紧密贴合在氮化镓功率器件(1)的上下两端，两个所述卡块(8)分别卡接在两个所述卡槽(6)内；
所述卡槽(6)的内壁固定安装有第二弹片(17)，所述第二弹片(17)的右侧固定安装有顶块(18)，所述顶块(18)的右侧紧密贴合在卡块(8)的左端，所述导热块(3)的右端紧密贴合在氮化镓功率器件(1)的左端，所述顶块(18)的右端顶部设有弧面(19)。
2.根据权利要求1所述的一种GaN-mode功率器件结构，其特征在于：所述导热块(3)的右端设有矩形槽(4)，所述矩形槽(4)内设有导热硅脂片(9)，所述导热硅脂片(9)的右侧和氮化镓功率器件(1)的左端相贴合。
3.根据权利要求1所述的一种GaN-mode功率器件结构，其特征在于：所述导热块(3)的左端设有散热口(10)。
4.根据权利要求1所述的一种GaN-mode功率器件结构，其特征在于：所述引脚(2)包括第一脚片(11)，所述第一脚片(11)的右端一体成型有第二脚片(12)，所述第一脚片(11)和第二脚片(12)呈垂直分布。
5.根据权利要求4所述的一种GaN-mode功率器件结构，其特征在于：所述第一脚片(11)的侧壁右端固定安装有锁紧装置(13)；
所述锁紧装置(13)包括外螺纹环(20)和内螺纹环(22)，所述内螺纹环(22)螺接在外螺纹环(20)上，所述外螺纹环(20)的内侧壁固定安装在第一脚片(11)的侧壁右端，所述外螺纹环(20)的外侧壁左端上下两侧均一体成型有第一卡块(21)，所述内螺纹环(22)的外侧壁右端上下两侧均一体成型有第二卡块(23)。
6.根据权利要求1所述的一种GaN-mode功率器件结构，其特征在于：所述氮化镓功率器件(1)的右端固定安装有固定板(14)，所述固定板(14)的右侧设有通孔(15)，所述通孔(15)的内侧壁固定安装有橡胶层(16)。
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