[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920076070.3 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN209544340U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件。该半导体器件具备：第一介电质层，其沉积在半导体衬底上；第二介电质层，其沉积在所述第一介电质层上；接触孔，分别对所述第一介电质层和所述第二介电质层进行蚀刻而形成，具有高深宽比，且具有垂直轮廓或者正面轮廓；第一金属层，其沉积在所述接触孔中；阻挡层，其形成在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方；以及第二金属层，其沉积在所述阻挡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 介电质层 沉积 半导体器件 接触孔 第一金属层 阻挡层 蚀刻 本实用新型 第二金属层 垂直轮廓 高深宽比 正面轮廓 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：第一介电质层，其沉积在半导体衬底上；第二介电质层，其沉积在所述第一介电质层上；接触孔，分别对所述第一介电质层和所述第二介电质层进行蚀刻而形成，与所述衬底连接，具有高深宽比，且具有垂直轮廓或者正面轮廓；第一金属层，其沉积在所述接触孔中；阻挡层，其形成在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方；以及第二金属层，其沉积在所述阻挡层上。
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