[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911393147.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130311B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 王立娜;汤陈龙 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，去除基底上第一牺牲层的部分厚度的侧壁，使形成第一目标牺牲层沿所述沟道层的宽度方向上的底部尺寸小于沟道层的尺寸，并且，以包括所述第一目标牺牲层的沟道叠层为目标沟道叠层，形成横跨所述目标沟道叠层的伪栅层和位于所述伪栅层两侧的伪栅侧墙，去除所述伪栅层和与所述伪栅层交叠部分的第一目标牺牲层，形成栅极开口和与所述栅极开口连通的第一通道，从而在所述栅极开口和通道中形成栅极结构。所述方法减小了在与所述伪栅层交叠部分的第一目标牺牲层的位置处形成的栅极结构的尺寸，使得位于此处的寄生MOS的尺寸也随之变小，进一步减小了该处的寄生MOS的影响，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
