[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201911372912.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384055B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林瑄智 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;G11C11/34;G11C7/18 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构，包括一基底、一控制栅极结构、一熔丝栅极结构，以及一埋置位元线；该基底具有一第一表面、一第一掺杂区、一第二掺杂区，以及一凹处，该第一掺杂区设置在该第一表面下方，该第二掺杂区设置在该第一表面下方，该凹处凹入该基底并设置在该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；该控制栅极结构设置在该第一掺杂区上方并电性连接一控制位元线；该熔丝栅极结构设置在该第二掺杂区上方并电性连接一熔丝位元线；该埋置字元线设置在该控制栅极结构与该熔丝栅极结构之间；其中该埋置字元线设置在该基底的该凹处内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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