[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基底，具有一第一表面、一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一凹处，该第一掺杂区设置在该第一表面下方，该第二掺杂区设置在该第一表面下方，该凹处凹入该基底并位在该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；

一控制栅极结构，设置在该第一掺杂区上方并电性连接一控制位元线；

一熔丝栅极结构，设置在该第二掺杂区上方并电性连接一熔丝位元线，其中该熔丝栅极结构具有一熔丝介电质，该熔丝介电质直接设置在该第二掺杂区上并且与该第二掺杂区接触；以及

一埋置字元线，设置在该控制栅极结构与该熔丝栅极结构之间；

其中该埋置字元线设置在该基底的该凹处内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该埋置字元线设置在该基底的该第一表面下方，并远离该基底的该第一表面设置。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该埋置字元线设置在该第一掺杂区与该第二掺杂区下方，并远离该第一掺杂区与该第二掺杂区设置。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹处从该基底的该第一表面朝向该基底的一第二表面延伸，该第二表面相对该第一表面设置。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中当该埋置字元线与该熔丝位元线之间的一电压偏压大于5V时，该熔丝介电质可断裂。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该埋置字元线设置在该熔丝介电质下方，并远离该熔丝介电质设置。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该熔丝介电质包含氧化物或金属氧化物。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区为一相同导电类型。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该埋置字元线具有一导体以及一隔离层，该隔离层设置在该凹处内并位在该基底与该导体之间。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该隔离层与该凹处的一侧壁共形设置。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其中该隔离层具有一第一部以及一第二部，该第一部设置在该导体的侧壁与该基底之间，该第二部位在该导体下方，其中该第一部的一厚度大于该第二部的一厚度。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其中该隔离层具有一高介电常数的介电材料。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其中该控制位元线与该熔丝位元线正交于该埋置字元线。

14.如权利要求1所述的半导体结构，其中该控制位元线与该熔丝位元线相互平行。

15.一种半导体结构，包括：

一基底，具有一第一表面、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一凹处以及一第二凹处，该第一掺杂区设置在该第一表面下方，该第二掺杂区设置在该第一表面下方，该第一凹处凹入该基底并设置在该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第二凹处凹入该基底并邻近该第二掺杂区设置；

一第一栅极结构，设置在该第一掺杂区上方并电性连接一第一位元线；

一第二栅极结构，设置在该基底的该第一表面上方并电性连接一第二位元线；以及

一埋置字元线，设置在该第一凹处内并设置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；

其中该第二栅极结构至少部分地设置在该基底的该第二凹处内。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中该第二凹处的一深度小于该第一凹处的一深度。

17.如权利要求15所述的半导体结构，其中该第二栅极结构具有一栅极介电质，设置在该基底的该第二凹处内。