[发明专利]在半导体材料图案化过程中形成对准标记的方法

摘要

本申请涉及在半导体材料图案化过程中形成对准标记的方法。一些实施例包含提供具有第一区域和第二区域的半导体材料块。将第一图案组形成为跨所述第一区域延伸，并且将第三图案组形成为跨所述第二区域延伸。所述第一图案组包含第一线和所述第一线之间的第一沟槽。所述第三图案组包含对准标记。所述第一沟槽用于从所述第一区域内的所述半导体材料中形成轨道。所述对准标记平行于所述轨道。将第二图案组形成为跨所述第一区域延伸，并且将第四图案组形成为跨所述第二区域延伸。所述第二图案组包含第一开口，并且所述第四图案组包含第二开口。所述第一开口用于将所述轨道细分为柱。所述第二开口将所述对准标记变换成覆盖图案。