[发明专利]在半导体材料图案化过程中形成对准标记的方法

说明书

本申请涉及在半导体材料图案化过程中形成对准标记的方法。一些实施例包含提供具有第一区域和第二区域的半导体材料块。将第一图案组形成为跨所述第一区域延伸，并且将第三图案组形成为跨所述第二区域延伸。所述第一图案组包含第一线和所述第一线之间的第一沟槽。所述第三图案组包含对准标记。所述第一沟槽用于从所述第一区域内的所述半导体材料中形成轨道。所述对准标记平行于所述轨道。将第二图案组形成为跨所述第一区域延伸，并且将第四图案组形成为跨所述第二区域延伸。所述第二图案组包含第一开口，并且所述第四图案组包含第二开口。所述第一开口用于将所述轨道细分为柱。所述第二开口将所述对准标记变换成覆盖图案。

技术领域

在半导体材料图案化过程中形成对准标记的方法。

背景技术

半导体存储器(例如，动态随机存取存储器，DRAM)可以以阵列形式配置，所述阵列包括x轴方向(即，行方向)和y轴方向(即，列方向)。字线可以沿着行方向延伸，并且位线可以沿着列方向延伸。

半导体存储器(即，集成存储器)可以包含被配置为基座的有源区域，其中此些基座相对于x轴和y轴倾斜。基座可以用两组图案制成，并且每组图案可以相对于x轴和y轴倾斜。如果两组图案之间发生对准偏差，则有源区域中的一或多个的形状将相对于期望的形状发生改变。这可以改变已改变有源区域的性能特征。另外地或替代性地，有源区域的形状的不期望的改变可能使字线和/或位线与有源区域的对准复杂化。

期望开发用于图案化组件的新方法，所述组件可以相对于存储器阵列的x轴和y轴倾斜。在一些应用中，期望开发用于图案化DRAM阵列的有源区域的新方法。

发明内容

在一方面，本申请提供一种方法，所述方法包括：形成用于电路元件的区域；以及形成用于与所述区域相关联的对准的参考标记；其中所述形成所述区域包括：通过使用第一组图案限定所述区域的一部分；以及通过使用第二组图案限定所述区域的另一部分，所述第二组图案与所述第一组图案相交；并且其中所述形成所述参考标记包括：通过使用与所述第一组图案同时形成的第三组图案限定所述参考标记的一部分；以及通过使用与所述第二组图案同时形成且与所述第三组图案相交的第四组图案限定所述参考标记的另一部分。

在另一方面，本申请进一步提供一种图案化方法，所述图案化方法包括：提供半导体材料块；存储器阵列区域被限定为包含所述块的第一区域，并且参考标记区域被限定为包含所述块的第二区域；将第一图案组形成为跨所述第一区域延伸，并且同时将第三图案组形成为跨所述第二区域延伸；所述第一图案组包括第一线和所述第一线之间的第一沟槽；所述第三图案组包括对准标记；将所述第一沟槽延伸到所述块中以从所述块在所述第一区域内的所述半导体材料中形成轨道；所述轨道具有第一间距；所述对准标记平行于所述轨道并且具有第三间距；将第二图案组形成为跨所述第一区域延伸，并且同时将第四图案组形成为跨所述第二区域延伸；所述第二图案组包括第一开口；所述第一开口具有第二间距；所述第四图案组包括具有第四间距的第二开口；将所述第一开口延伸到所述半导体材料中以将所述轨道细分成有源区域柱；以及延伸所述第二开口穿过所述对准标记以将所述对准标记变换成覆盖图案。