[发明专利]一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置有效
| 申请号： | 201911349956.1 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111172592B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高超;李霞;宁秀秀;张九阳;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置，属于半导体材料制备领域。该制备方法包括：将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔，将籽晶柱安装在坩埚内，组装后放入长晶炉；升高长晶炉温度，使得原料升华后的升华气体穿过夹层内侧壁并沿径向气相传输至籽晶柱表面长晶得掺杂碳化硅单晶；所述包括碳化硅，和；原料还包括固相掺杂剂和/或，向坩埚内通入的气相掺杂剂。该方法可以制得任意体积的掺杂碳化硅单晶，尤其体积大和厚度高，长晶效率高，切割的衬底片数多；该方法制得的掺杂碳化硅单晶的零微管、螺位错低于100cm |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化硅 衬底 制备 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
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