[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911308271.2 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112993027A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 林永丰;林鑫成;周政伟;周钰杰 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含：基板、位于基板上的晶种层、位于晶种层上的外延层、位于外延层上的第一晶体管、位于外延层上的层间介电层、穿过层间介电层与外延层的介电柱、以及位于介电柱的侧壁上的导电衬层。其中导电衬层电连接第一晶体管至晶种层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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