[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板；

一晶种层，位于所述基板上；

一外延层，位于所述晶种层上；

一第一晶体管，位于所述外延层上；

一层间介电层，位于所述外延层上；

一介电柱，穿过所述层间介电层及所述外延层；以及

一导电衬层，位于所述介电柱的一侧壁上，且电连接所述第一晶体管至所述晶种层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一第一金属层，电连接所述导电衬层与所述第一晶体管。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层，电连接所述导电衬层与所述第一晶体管的一第一源极结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电衬层还位于相对于所述侧壁的另一侧壁上。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第二晶体管，位于所述外延层上且邻近于所述介电柱的所述另一侧壁；以及

一第二金属层，横跨于所述导电衬层与所述第二晶体管上方，且与所述导电衬层于所述另一侧壁上的一端连接。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属层电连接所述导电衬层与所述第二晶体管的一第二源极结构。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电柱的底部不低于所述导电衬层的底部。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电柱还穿过所述晶种层并接触所述基板。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一隔离结构，位于所述介电柱周围。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管为高电子移动率晶体晶体管。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一晶种层于所述基板上；

形成一外延层于所述晶种层上；

形成一第一晶体管于所述外延层上；

形成一层间介电层于所述外延层上且覆盖所述第一晶体管；

形成一穿孔，其延伸穿过所述层间介电层及所述外延层，并暴露出所述晶种层的部分表面；

形成一导电衬层于所述穿孔的一侧壁上，且电连接所述第一晶体管至所述晶种层；以及

以一介电填料填充所述穿孔，以形成一介电柱。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导电衬层的步骤包括：

形成所述导电衬层于所述穿孔的底部、侧壁及所述层间介电层上；以及

去除位于所述穿孔的底部及所述层间介电层上的所述导电衬层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括在形成所述介电柱之后形成一第一金属层，电连接所述导电衬层与所述第一晶体管。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层，电连接所述导电衬层与所述第一晶体管的一第一源极结构。

15.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电衬层还形成于相对于所述穿孔的所述侧壁的一另一侧壁上。