[发明专利]半导体模块有效
| 申请号： | 201911303208.X | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111341749B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杉浦秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/07;H02M1/00;H02M1/32;H02M7/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郎伊琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明抑制浪涌电流引起的SiC晶体的劣化。提供一种半导体模块，其具有：第一半导体芯片，其具备第一半导体基板，该第一半导体基板具备场效应晶体管且由SiC制成；第二半导体芯片，其具备第二半导体基板，该第二半导体基板具备二极管；第一引线框架，其具备第一主端子；以及第二引线框架，其具备第二主端子。第一引线框架与第一半导体芯片的漏电极和第二半导体芯片的阴极电极连接。第二引线框架与第一半导体芯片的源电极和第二半导体芯片的阳极电极连接。从第二主端子经由第一半导体芯片至第一主端子的第一电流路径，与从第二主端子经由第二半导体芯片至第一主端子的第二电流路径相比更长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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