[发明专利]一种提高微波等离子体生长单晶钻石生长速度的基片台在审
| 申请号： | 201911293210.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111020699A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波 | 申请（专利权）人： | 上海征世科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/12;C30B25/14;C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 周琼 |
| 地址： | 201799 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用微波等离子体技术提高单晶钻石生长速度的基片台技术，包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上表面有放置晶托用的凹坑，晶托上放置单晶钻石生长用的钻石晶种，凹坑底部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接抽真空系统，细管中的气体流量通过气体流量计进行控制。真空系统将反应气体从基片台中部抽走，可以主动引导反应气流扩散到钻石生长区域，以提高钻石的生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 微波 等离子体 生长 钻石 速度 基片台 | ||
【主权项】：
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