[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911259682.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112951725A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括自下而上依次堆叠的底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区，源漏掺杂区底部位于牺牲半导体层底部上方；刻蚀源漏掺杂区露出的基底形成沟槽，沟槽至少贯穿顶部半导体层和牺牲半导体层；对沟槽侧壁露出的牺牲半导体层进行横向刻蚀，形成由底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层围成的第一凹槽；在沟槽中形成隔离结构，且隔离结构与底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层在第一凹槽的位置处围成空气隙。通过形成空气隙，以隔离源漏掺杂区和底部半导体层，从而减小漏电流和寄生电容，进而提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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